IBM周一宣布，已生产出首个22纳米工艺SRAM(静态存储器)单元。 


     据国外媒体报道，SRAM芯片是半导体产业试验新工艺的设备，速度更快、体积更小且技术更复杂，主要负责在数据被处理之前暂时存储数据。 


     IBM认为SRAM芯片的生产是缩小整个微处理器体积的重要一步。SRAM芯片将使22纳米处理器性能大幅提高，并减少耗电。 


     IBM希望，到2011年能够制造出22纳米制程处理器。IBM研究机构副总裁陈博士表示：“随着处理器内核数量增多，人们对微处理器中存储器的需求也在日渐增加。为满足市场需求，我们会不断地向下一代半导体技术挺进。” 


     去年9月，Intel曾公开展示了32纳米SRAM芯片，预计今年秋季可能会交出首颗32nm处理器原型。由此可见，要想与22纳米工艺SRAM芯片见面，还需等待多时。 


      IBM则表示，其32纳米工艺进展顺利，制作过程中将使用业界领先的32nm High-K金属栅极技术，可超过任何企业和联盟。

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